典型的晶體缺陷
2024年2月2日 — 進一步討論氮化鎵的差排種類分析之前，將先介紹差排的基礎概念和TEM分析差排型晶體缺陷的技術，助益讀者瞭解如何用TEM分析氮化鎵晶體內的差排。 差排的 ... ,2024年4月9日 — 禦抗氫脆是人類百年來的挑戰，在材料設計的策略中，創造特殊微結構作為氫陷阱(hydrogen trap)以限制氫擴散是抑制氫脆的重要方法，鋼鐵中的典型氫陷阱為TiC ... ,2017年9月2日 — 幾十年來的研究證實，動態缺陷大多源於單顆原子在空間中的躍動，稱為「原子二能級系統（atomic TLSs）」。至於材料中的奈米尺度晶粒（nanocrystalline ... ,典型的材料為日常生活中隨處可. 見的玻璃,所以非晶質也常被稱為玻璃相. (Glass ... 圖1是完整無缺陷的晶體示意圖,晶體. 中所有的晶格(或原子)整齊排列,沒有錯. 位的晶 ... ,2021年9月17日 — 正常格位上的阴离子和阳离子受激等电量地扩散到晶体表. 面（或晶界），而在晶体内留下阴、阳离子空位缺陷对。 Schottky's defect-pair 易出现于典型离子 ... ,點缺陷 · 晶格空位：一個晶格格位上缺失了一個粒子（原子，離子甚至分子）。如果有其他的雜質原子或離子佔據了這個空位，就會形成了替代式雜質。晶體的許多光學性質，例如 ... ,書名：晶體生長中輸運現象及晶體缺陷，語言：簡體中文，ISBN：9787030611628，頁數：351，出版社：科學出版社，作者：方海生等，出版日期：2019/06/01，類別：自然科普 ... ,點缺陷. 晶格空位（Vacancy defect）或肖特基缺陷（Schottky defect）; 間隙缺陷（Interstitial defect）或弗倫克爾缺陷（Frenkel defect） · 線缺陷. 刃位錯（edge ... ,2. 外在缺陷(extrinsic defects)：外來的雜質原子進入基質晶體中. 構成的缺陷，又稱雜質缺陷。 (1) 間隙式雜質缺陷：雜質原子進入晶體後，可以擠進基質晶. 體原子間隙 ...
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書名：晶體生長中輸運現象及晶體缺陷，語言：簡體中文，ISBN：9787030611628，頁數：351，出版社：科學出版社，作者：方海生等，出版日期：2019/06/01，類別：自然科普 ... https://www.books.com.tw 晶體缺陷- 維基百科，自由的百科全書
點缺陷. 晶格空位（Vacancy defect）或肖特基缺陷（Schottky defect）; 間隙缺陷（Interstitial defect）或弗倫克爾缺陷（Frenkel defect） · 線缺陷. 刃位錯（edge ... https://zh.wikipedia.org 第四章基礎理論4.1 晶體導電性質理想的介電質(dielectric) ...
2. 外在缺陷(extrinsic defects)：外來的雜質原子進入基質晶體中. 構成的缺陷，又稱雜質缺陷。 (1) 間隙式雜質缺陷：雜質原子進入晶體後，可以擠進基質晶. 體原子間隙 ... http://rportal.lib.ntnu.edu.tw |