內金屬介電層
介電質薄膜. SiO. 2. , Si. 3. N. 4. 2. 氧化矽. 氮化矽. USG. W. P型晶圓. N型井區. P型井區. BPSG p+ p+ n+ n+. USG. W. Metal 2, Al•Cu. P型磊晶層. 金屬1, Al•Cu. ,(c) 以濕式氧化成長二氧化矽，沉. 積速度較慢，但均勻度相對較. 高。 (四) 單層空氣隙金屬連線結構在小面積範. 圍內已經順利完成。其中，金屬線的. ,當積體電路的密度增加，元件尺寸縮小，導線的電阻值與金屬間介電層的電容值 ... 結構，如內層連接線長度、線寬及金屬層厚度；另一則為材料本身的特性，即電阻或. ,很多公司用介電質層(interlayer dielectric；ILD)代表金屬層. 間介電質層, 包含金屬沉積前的介電質層(PMD)和金屬層. 間介電質 ... 氣體或是氣相源材料引進反應器內. ,層（plasmas nitride dielectrics）是目前CVD 技術最廣泛的應用。這. 類薄膜材料可以在晶片內部構成三種主要的介質薄膜：內層介電. 層（ILD）、內金屬介電層（IMD）、 ... ,特別是當半導體製程進入0.13µm 以後的世代，高介電（High K）薄膜將會 ... （BaTiO3/epoxy）的複合材料，在薄膜製程㆖的改良與複合材料整體介電值的 ... 應法計有金屬烷基氧化物水解法、草酸鹽化合 ... 表面或內部的粒界結晶表面形成絕緣層，其製. ,在多層金屬內連線製程㆗， 主要有兩個. 問題會影響其效能: ㆒為金屬導線與介電質. 層所引起的訊號傳遞延遲(RC delay); 另㆒則. 為金屬導線配線之間的訊號干擾(cross ... , 過去IBM微電子發表Low k Dielectric(低介電質絕緣，或稱：低介電常數絕緣) ... 發表後，也連帶在45nm製程內使用了High k/Metal Gate(高介電質金屬閘極) ... 在源極與汲極底下，以及在基極之上，多埋入1層的絕緣層，該絕緣層的材料 ...,先進內連接導線系統中的可靠度項目在本篇論文中詳細地討論，包括金屬銅導線的. 電致遷移及應力遷移等現象、金屬阻障層阻障特性以及低介電質材料之崩潰可靠度. ,金屬層間介電質層（Inter layer dielectric, or ILD）包括. PMD 和IMD. • 金屬沉積前的介電質層（Pre-metal dielectric） : PMD ... 氣體或是氣相源材料引進反應器內.
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