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h line波長

85. 微影技術所用光源. 名稱. 波長(nm). 所應用的圖形尺寸範圍(μm). G-line. 436. 0.50. 水銀燈. H-line. 405. I-line. 365. 0.35 to 0.25. XeF. 351. XeCl. 308. 準分子雷射. ,波長. (nm). 所應用的. 圖形尺寸. (μm). G-line. 436. 0.50. 水銀燈. H-line. 405. I-line. 365. 0.35 to. 0.25. XeF. 351. XeCl. 308. 準分子雷. 射. KrF. (DUV). 248. 0.25 to. , 至於光源的波長, 波長越低能量越高, 所以為了減短曝光時間增加throughput : : 會以更短波長的 ... 機台的光源波長由G-line(435nm).H-line(405nm)., 依光源的不同，光阻劑可分為G-line(436nm)、I-line(365nm)與深 ... 從G-line、I-line，進入到曝光波長更短的的深紫外線領域(193-248nm)。 4. ... 圖片參考：http://pic27.pic.wretch.cc/photos/62/h/horterkimo/2/thumbs/t1181776142.jpg.,使用I-line滤镜把NUV的另两种波长滤除，为什么I-line的强度会降低. I-line滤镜会挡掉大部份H-line与G-line两种波长，而让约70%的I-line波长通过，但难免会挡掉一小 ... ,請問我的光阻有I-line與H-line兩種，請問你們有適合的曝光源嗎? ... 使用I-line濾鏡把NUV的另兩種波長濾除，為什麼I-line的強度會降低 · 我的500W汞燈泡使用時數已 ... ,波長. (nm). 所應用的. 圖形尺寸. (μm). G-line. 436. 0.50. 水銀燈. H-line. 405. I-line. 365. 0.35 to. 0.25. XeF. 351. XeCl. 308. 準分子雷. 射. KrF. (DUV). 248. 0.25 to. , 線寬/線距(L/S) Line Width / Line Space .... H-line: 405 nm. I-line: ... 接受, 產生自由基, 抓Monomer, 連鎖反應形成聚合物; 對320~380 nm 波長敏感.,Q. 請問我的光阻有I-line與H-line兩種，請問你們有適合的曝光源嗎? 我們的標準曝光源，波長範圍為NUV(Near UV)含有I-line， H-line， G-line三個光束，適用你們的 ... ,R. O. H. O. Si. H. H. H. H. O. Si. H. O. Si. H2O. Si. Si. Si. Si. Si Si. O. O. O O O O. O. H H. R. R. Method : Hot plate, Oven ... 350nm ~ 450 nm Hg-Arc G-line(436 nm) , I-line (365nm). MUV ... 若光阻與光罩的間距10µm，入射光的波長. 400nm而言， ...

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Chapter 6 微影技術

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Lithography

波長. (nm). 所應用的. 圖形尺寸. (μm). G-line. 436. 0.50. 水銀燈. H-line. 405. I-line. 365. 0.35 to. 0.25. XeF. 351. XeCl. 308. 準分子雷. 射. KrF. (DUV). 248. 0.25 to.

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Re: [問題] 請問在無塵室的黃光下會曬黑嗎- 精華區Tech_Job - 批踢踢 ...

至於光源的波長, 波長越低能量越高, 所以為了減短曝光時間增加throughput : : 會以更短波長的 ... 機台的光源波長由G-line(435nm).H-line(405nm).

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什麼是G-line及I-line???? | Yahoo奇摩知識+

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光阻劑

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曝光源問題| 德揚光電

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