dopant半導體
出處/學術領域, 英文詞彙, 中文詞彙. 學術名詞 電子計算機名詞, semiconductor dopant, 半導體摻雜劑. 以半導體摻雜劑 進行詞彙精確檢索結果. 出處/學術領域, 中文 ... ,一、半導體物理簡介. (基本概念). 1.1 半導體的鍵結與晶格結構. 1.2 半導體中的導電載子---電子與電洞. 1.3 帶溝與半導體的光電特性. 1.4 半導體的摻雜. 1.5 移動電流 ... , 在半導體中摻入雜質原子,使雜質分散在矽原料中,形成p 型或n 型半導體區域。 主要的摻雜技術有擴散法(Diffusion)及離子植入法(Ion ..., 哪種材料適合作為某種半導體材料的摻雜物(dopant)需視兩者的原子特性而定。一般而言,摻雜物依照其帶給被摻雜材料的電荷正負被區分為施 ..., 這些被打進wafer的三/五價元素統稱叫dopant. ... 半導體<semicondcctor>,顧名思義,就是導電率介於金屬等導體和玻璃等非導電體間的物質,,半導體概論-1. 中興物理孫允武. 半導體物理簡介. 半導體的鍵結與晶格結構. 半導體中的導電載子---電子與電洞. 帶溝與半導體的光電特性. 半導體的摻雜. 移動電流與 ... ,Dopant(載體、摻雜):在控制條. 件下加入半導體的原子:. – Donor(施體): 或稱n-type dopant,. 可增加自由電子數目的dopant. – Acceptor(受體):或稱p-type dopant,. ,掺杂(英语:doping)是半导体制造工艺中,为纯的本征半导体引入杂质,使之电气属性被改变的过程。引入的杂质与要制造的半导体种类有关。轻度和中度掺杂的半导体 ... ,摻雜半導體. 摻雜(Doping)是增加半導體導電性的一種方法。就是在本質晶體內加入一些雜質原子而改變其電特性,所以摻雜半導體又被稱為外質半導體(extrinsic ... , 半導體的摻雜(doping)因材料而異,一般來說要形成n 型或p 型需要不同的摻雜物(dopant),但氮化鎵(GaN)卻能用同一種摻雜物達成。 Sample ...
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dopant半導體 相關參考資料
semiconductor dopant - 半導體摻雜劑 - 國家教育研究院雙語詞彙
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哪種材料適合作為某種半導體材料的摻雜物(dopant)需視兩者的原子特性而定。一般而言,摻雜物依照其帶給被摻雜材料的電荷正負被區分為施 ... https://tw.answers.yahoo.com 何謂慘質(dopants)??? | Yahoo奇摩知識+
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半導體概論-1. 中興物理孫允武. 半導體物理簡介. 半導體的鍵結與晶格結構. 半導體中的導電載子---電子與電洞. 帶溝與半導體的光電特性. 半導體的摻雜. 移動電流與 ... http://ezphysics.nchu.edu.tw 半導體的構成
Dopant(載體、摻雜):在控制條. 件下加入半導體的原子:. – Donor(施體): 或稱n-type dopant,. 可增加自由電子數目的dopant. – Acceptor(受體):或稱p-type dopant,. http://web.cjcu.edu.tw 掺杂(半导体) - 维基百科,自由的百科全书
掺杂(英语:doping)是半导体制造工艺中,为纯的本征半导体引入杂质,使之电气属性被改变的过程。引入的杂质与要制造的半导体种类有关。轻度和中度掺杂的半导体 ... https://zh.wikipedia.org 摻雜半導體
摻雜半導體. 摻雜(Doping)是增加半導體導電性的一種方法。就是在本質晶體內加入一些雜質原子而改變其電特性,所以摻雜半導體又被稱為外質半導體(extrinsic ... http://pub.tust.edu.tw 能用同一種摻雜物能產生n型及p型的半導體嗎? – CASE報科學
半導體的摻雜(doping)因材料而異,一般來說要形成n 型或p 型需要不同的摻雜物(dopant),但氮化鎵(GaN)卻能用同一種摻雜物達成。 Sample ... https://case.ntu.edu.tw |