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I line 波長

2007年9月13日 — i-Line技術是將電路圖案轉印到矽晶圓的光源，其光波波長為365奈米，設備業主多利用i-Line轉印小於250奈米的電路結構(1奈米等於百萬分之一毫米)。 ,I-光線. (365). 300. 400. 500. 600. 波長(nm). 強度. (a.u). 深紫外線. (<260). Page 8. 8. 15. 名稱. 波長. (nm). 所應用的. 圖形尺寸. (μm). G-line. 436. 0.50. 水銀燈. ,一般的光解像度約為其波長，. 例如i-line(365nm=0.365µm)大概只適合至. 0.35µm製程應用，如果考慮光解像度更. 低時，則可選擇248nm DUV、 193nm甚. 或157nm的光源，可以 ... ,I-line. 365. 0.35 to. 0.25. XeF. 351. XeCl. 308. 準分子雷. 射. KrF. (DUV). 248. 0.25 to ... • 由光波長及系統的數值孔徑決定.。解析度可. 表示為. NA. K. R λ. 1. = K1 ... ,2020年8月26日 — 東京應化工業不僅製造436nm波長膜厚1um到7um用g-line乾膜光阻、365nm波長膜厚0.3um到7um用i-line乾膜光阻劑，並與SEMATECH和其他領導業者合作，以供應多種 ... ,2020年9月22日 — 採雙遠心式設計，照度均勻為97%。 ○ 波長：i-line 365 nm. ○ 放大倍率：3.4X. ○ 數值孔徑：物端0.5、像端0.165. ○ 適用場域：物端19.74 mm x 7.54 mm ... ,>G-line 波長436 nm（常用於學校）. >I-line 波長365 nm（常用於0.35微米的IC製程中）. Page 11. 國立高雄第一科技大學機械系余志成© 2004. 微系統製造與實驗─微影製程11. , ,350nm ~ 450 nm Hg-Arc G-line(436 nm) , I-line (365nm) ... 若光阻與光罩的間距10µm，入射光的波長. 400nm而言 ... 波長所產生的繞. 射，而電子雕像術的解析度則受限於電子在 ...

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