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曝光波長

曝光機的光源. 曝光機所使用的光源是利用氣體雷射，這種氣體雷射大部分為「準分子雷射(Excimer laser)」，發射出高能量、高純度、光束集中的紫外光，來將光阻的化學鍵結變鬆散(正光阻)或變堅固(負光阻)，最常使用的紫外光波長種類包括：. ＞G-Line光源：使用氣體雷射，發出的紫外光波長為436nm(奈米)。＞I-Line ...,2. 目標. •列出組成光阻的四個成分. •敘述正負光阻間的差異. •敘述微影製程的順序. •列出四種對準和曝光系統. •敘述晶圓在軌道步進機整合系統中的移動方式. •說明解析度和景深波長及數字孔徑的關係 ... ,曝光. Exposure. 顯影. Development. 紫外光. 負光阻. 基片. 正光阻. 基片. 光阻. 微影製程(Lithography). 基片(Substrate). 基片. 光阻. (PR, Photoresist). 光阻塗佈 .... 波長. (nm). 所應用的. 圖形尺寸. (μm). G-line. 436. 0.50. 水銀燈. H-line. 405. I-line. 365. 0.35 to. 0.25. XeF. 351. XeCl. 308. 準分子雷. 射. KrF,1.根據Rayleigh's 法則,光學系統(例如曝光機)的解析度R的公式是:R= 0.6*(λ/NA) , NA= numerical aperture也就是說, 波長λ愈長, 則能解析的尺吋R愈大(解析力愈差).這是因為波長λ大過物體的尺吋大小時,會產生繞射,所以曝光機就曝不出想要的圖案了.2. 一般IC業界所使用的曝光光源的波長,是和所要用的製程有關的.製程愈先進,元件 ... ,USHIO的照明光學系統技術，源自於1960年開始的SPACE CHAMBER用太陽能模擬器的開發，以高度的光學技術為起始。之後，對許多半導體與液晶用曝光裝置提供照明光學系統，並提升曝光裝置用光學系統的完成率。「UX系列」的照明光學類，充分運用過去的專業知識與實績，備有燈光輸出或曝光波長相關的各種應用方案等，以 ... ,光阻聚合. 製程. 光阻(乾膜/濕膜)→曝光聚合(UV)→顯像(碳酸鈉). 曝光原理及製程. G-line: 436 nm. H-line: 405 nm. I-line: 365 nm. 2007/4/10. 光阻反應機構. Sensitizer 光敏劑. 接受初始能量, 啟動反應(搖旗吶喊). Photoinitiator 感光起始劑. 接受, 產生自由基, 抓Monomer, 連鎖反應形成聚合物; 對320~380 nm 波長敏感. Monomer 單體. ,其中波長小於300nm的紫外光又稱為「深紫外光(DUV：Deep Ultraviolet)」，是目前積體電路(IC)線寬65nm以下所使用的主要光源。使用不同波長的 ... , 一般使用KrF(248nm)波長深紫外光曝光其光子能量(Photon energy)為4.9eV，而使用ArF(193nm)波長深紫外光曝光其光子能量為6.9eV。極紫外光其光子能量為92eV，石英玻璃的能量間隙(Energy gap)為11.7eV，故KrF(248nm)及ArF(193nm)深紫外光可以穿透石英玻璃，可以利用石英玻璃製作穿透式透鏡，穿透式 ...,術使用紫外光當照明光源，利用晶圓步進曝光系統( 如. 同照相機) 在矽晶片上產生積體電路線路。過去近幾. 十年來，半導體技術的進展從利用汞燈中436nm 波段. 的g-line 紫外光及365nm 波段的i-line 紫外光以製作微. 米及次微米等級線路; 進展到利用KrF 氣體雷射( 波長. 248nm) 製作深次微米線路。製程發展到目前的ArF 氣體.

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3-16黃光微影技術(Photo lithography) - 科技台灣

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Chapter 6 微影技術

2. 目標. •列出組成光阻的四個成分. •敘述正負光阻間的差異. •敘述微影製程的順序. •列出四種對準和曝光系統. •敘述晶圓在軌道步進機整合系統中的移動方式. •說明解析度和景深波長及數字孔徑的關係 ...

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Lithography

曝光. Exposure. 顯影. Development. 紫外光. 負光阻. 基片. 正光阻. 基片. 光阻. 微影製程(Lithography). 基片(Substrate). 基片. 光阻. (PR, Photoresist). 光阻塗佈 .... 波長. (nm). 所應用的. 圖形尺寸. (μm). G-line. 436. 0.50. 水銀燈. H-line. 405. I-line...

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半導體製程中，曝光光源的波長和解析度有何關係？ | Yahoo奇摩知識+

1.根據Rayleigh's 法則,光學系統(例如曝光機)的解析度R的公式是:R= 0.6*(λ/NA) , NA= numerical aperture也就是說, 波長λ愈長, 則能解析的尺吋R愈大(解析力愈差).這是因為波長λ大過物體的尺吋大小時,會產生繞射,所以曝光機就曝不出想要的圖案了.2. 一般IC業界所使用的曝光光源的波長,是和所要用的製程有關的.製程愈先進,元件 ....

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投影曝光技術［優志旺股份有限公司］

USHIO的照明光學系統技術，源自於1960年開始的SPACE CHAMBER用太陽能模擬器的開發，以高度的光學技術為起始。之後，對許多半導體與液晶用曝光裝置提供照明光學系統，並提升曝光裝置用光學系統的完成率。「UX系列」的照明光學類，充分運用過去的專業知識與實績，備有燈光輸出或曝光波長相關的各種應用方案等，以 ...

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曝光原理與曝光機

光阻聚合. 製程. 光阻(乾膜/濕膜)→曝光聚合(UV)→顯像(碳酸鈉). 曝光原理及製程. G-line: 436 nm. H-line: 405 nm. I-line: 365 nm. 2007/4/10. 光阻反應機構. Sensitizer 光敏劑. 接受初始能量, 啟動反應(搖旗吶喊). Photoinitiator 感光起始劑. 接受, 產生自由基, 抓Monomer, 連鎖反應形成聚...

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曝光系統(Photolithography system) - Ansforce

其中波長小於300nm的紫外光又稱為「深紫外光(DUV：Deep Ultraviolet)」，是目前積體電路(IC)線寬65nm以下所使用的主要光源。使用不同波長的 ...

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極紫外光微影 - Digitimes

一般使用KrF(248nm)波長深紫外光曝光其光子能量(Photon energy)為4.9eV，而使用ArF(193nm)波長深紫外光曝光其光子能量為6.9eV。極紫外光其光子能量為92eV，石英玻璃的能量間隙(Energy gap)為11.7eV，故KrF(248nm)及ArF(193nm)深紫外光可以穿透石英玻璃，可以利用石英玻璃製作穿透式透鏡，穿透式 ...

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非常精密且昂貴的照相機-晶圓步進曝光系統 - 國家奈米元件實驗室

術使用紫外光當照明光源，利用晶圓步進曝光系統( 如. 同照相機) 在矽晶片上產生積體電路線路。過去近幾. 十年來，半導體技術的進展從利用汞燈中436nm 波段. 的g-line 紫外光及365nm 波段的i-line 紫外光以製作微. 米及次微米等級線路; 進展到利用KrF 氣體雷射( 波長. 248nm) 製作深次微米線路。製程發展到目前的ArF 氣體.

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