光學臨界尺寸
該技術能夠測量極小的線寬，在10nm以下的範圍內進行高精度測量。 依賴傳統橢偏儀或反射測量技術的現有測量工具在即時準確解析CD測量的能力方面受到限制，在設備研發過程中需要繁瑣的庫生成。 ,臨界尺寸是在量測中所必須分辨的最小尺寸。在各種量測領域中，由於技術的發展與產品的更新，臨界尺寸也愈來愈微小。在半導體元件的製程中，臨界尺寸量測技術的發展有助於 ... ,利用光學臨界尺寸(ocd)計量之結構分析用於光學參數模型之最佳化方法、非暫時性之機器可存取儲存媒體及用以產生所模擬繞射信號以利用光學計量判定用以在晶圓上製造結構之晶 ... ,2019年10月15日 — ASML 指出，萊利公式為CD=k1 x ( λ / NA)，描述了重要參數間的對應關係，CD（Critical Dimension）中文譯作關鍵尺寸或臨界尺寸，而k1 為變因，λ 則是曝光機所用的 ... ,由 黃閔顯 著作 · 2006 · 被引用 1 次 — 臨界尺寸(Critical Dimension, CD)量測的重要理由是為了確認晶圓製造. 故過程中，所有的線寬皆已精準控制。半導體製程中通常以掃瞄式電子顯. 微鏡(Scanning Electron ... ,厚度，折射率和光学CD测量 · 未知薄膜的光学常数表征 · 超薄膜叠层的厚度 · 广泛的临界尺寸测量应用，包括金属栅极凹陷，高k凹陷，侧壁角度，抗蚀剂高度，硬掩膜高度，沟槽和触点轮廓 ... ,本发明公开了一种最佳化一集成电路的临界尺寸的方法与光罩。该方法包括：提供一使用于该集成电路中的第一光罩，其中该集成电路至少包括一元件区域；提供一第二光罩，该光罩 ... ,描述利用光學臨界尺寸計量之結構分析用光學參數模型. 之最佳化。一種方法包括針對一結構之一參數判定一第. 光學模型擬合。該第一光學模型擬合係基於該結構之一第. 一模型 ... ,... 尺寸或臨界尺寸；k1為變因；λ是曝光機所用的光源波長；NA（Numerical Aperture）代表光學系統的數值孔徑。 在半導體製程中，我們希望生產的晶片體積能夠越來越小、搭載 ...
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 光學臨界尺寸 相關參考資料
多角度分光光譜臨界尺寸測量儀 - Quatek
該技術能夠測量極小的線寬，在10nm以下的範圍內進行高精度測量。 依賴傳統橢偏儀或反射測量技術的現有測量工具在即時準確解析CD測量的能力方面受到限制，在設備研發過程中需要繁瑣的庫生成。 https://www.quatek.com.tw 臨界尺寸之高解析度光學量測
臨界尺寸是在量測中所必須分辨的最小尺寸。在各種量測領域中，由於技術的發展與產品的更新，臨界尺寸也愈來愈微小。在半導體元件的製程中，臨界尺寸量測技術的發展有助於 ... https://ndltd.ncl.edu.tw TWI631314B - 利用光學臨界尺寸(ocd)計量之結構分析用於 ...
利用光學臨界尺寸(ocd)計量之結構分析用於光學參數模型之最佳化方法、非暫時性之機器可存取儲存媒體及用以產生所模擬繞射信號以利用光學計量判定用以在晶圓上製造結構之晶 ... https://patents.google.com 台積電也得靠它，關鍵萊利公式扮演半導體製程微縮重要基礎
2019年10月15日 — ASML 指出，萊利公式為CD=k1 x ( λ / NA)，描述了重要參數間的對應關係，CD（Critical Dimension）中文譯作關鍵尺寸或臨界尺寸，而k1 為變因，λ 則是曝光機所用的 ... https://today.line.me 工學院專班半導體材料與製程設備學程
由 黃閔顯 著作 · 2006 · 被引用 1 次 — 臨界尺寸(Critical Dimension, CD)量測的重要理由是為了確認晶圓製造. 故過程中，所有的線寬皆已精準控制。半導體製程中通常以掃瞄式電子顯. 微鏡(Scanning Electron ... https://ir.lib.nycu.edu.tw 多角度分光光谱临界尺寸测量仪
厚度，折射率和光学CD测量 · 未知薄膜的光学常数表征 · 超薄膜叠层的厚度 · 广泛的临界尺寸测量应用，包括金属栅极凹陷，高k凹陷，侧壁角度，抗蚀剂高度，硬掩膜高度，沟槽和触点轮廓 ... https://quatek.com.cn CN101174581A - 最佳化一集成电路临界尺寸的方法与光罩
本发明公开了一种最佳化一集成电路的临界尺寸的方法与光罩。该方法包括：提供一使用于该集成电路中的第一光罩，其中该集成电路至少包括一元件区域；提供一第二光罩，该光罩 ... https://patents.google.com 利用光學臨界尺寸計量之結構分析用光學參數模型之最佳化方法
描述利用光學臨界尺寸計量之結構分析用光學參數模型. 之最佳化。一種方法包括針對一結構之一參數判定一第. 光學模型擬合。該第一光學模型擬合係基於該結構之一第. 一模型 ... https://patentimages.storage.g ASML - 【ASML｜微影系統的解析度公式——萊利 ...
... 尺寸或臨界尺寸；k1為變因；λ是曝光機所用的光源波長；NA（Numerical Aperture）代表光學系統的數值孔徑。 在半導體製程中，我們希望生產的晶片體積能夠越來越小、搭載 ... https://www.facebook.com |